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    考試了

    電子類(lèi)基本概念

    1.什么是BOM

    2.什么是 LDO

    3.什么是ESR

    4.什么是TTL

    5.什么是MOS、NMOS、PMOS、CMOS

    6.什么是OC、OD

    7.什么是線(xiàn)或邏輯與線(xiàn)與邏輯

    8.什么是推挽結構

    9.什么是MCU(單片機)、RISC、CISC、DSP(數字信號處理器)

    10.什么是FPGAASIC

    11.FPGA  CPLD 的異同點(diǎn)

     1.BOM(BillOfMaterial),是制造業(yè)管理的重點(diǎn)之一,簡(jiǎn)單的定義就是記載產(chǎn)品組成所需使用材料的表。以一個(gè)新產(chǎn)品的誕生來(lái)看:首先是創(chuàng )意與可行性研究的初期過(guò)程,接下來(lái)的過(guò)程就是初步的工程技術(shù)分析與原型產(chǎn)品的設計,等到原型產(chǎn)品比較穩定后,經(jīng)過(guò)自制或外購分析(MakeorBuyAnalysisandDecision)后就會(huì )產(chǎn)生*版的工程料表(EBOM,EngineeringBOM)。到正式量產(chǎn)之前,*版的生產(chǎn)料表(PBOM,ProductionBOM)必須要先完成,以便企業(yè)內的相關(guān)部門(mén)有所遵循。在此之后,就進(jìn)入了正常的例行維護階段。

    2. 什么是 LDO(低壓降)穩壓器?
    LDO
    是一種線(xiàn)性穩壓器。線(xiàn)性穩壓器使用在其線(xiàn)性區域內運行的晶體管或 FET,從應用的輸入電壓中減去超額的電壓,產(chǎn)生經(jīng)過(guò)調節的輸出電壓。所謂壓降電壓,是指穩壓器將輸出電壓維持在其額定值上下 100mV 之內所需的輸入電壓與輸出電壓差額的*小值。正輸出電壓的LDO(低壓降)穩壓器通常使用功率晶體管(也稱(chēng)為傳遞設備)作為 PNP。這種晶體管允許飽和,所以穩壓器可以有一個(gè)非常低的壓降電壓,通常為 200mV 左右;與之相比,使用 NPN 復合電源晶體管的傳統線(xiàn)性穩壓器的壓降為 2V 左右。負輸出 LDO 使用 NPN 作為它的傳遞設備,其運行模式與正輸出 LDO PNP設備類(lèi)似。更新的發(fā)展使用 CMOS 功率晶體管,它能夠提供*低的壓降電壓。使用 CMOS,通過(guò)穩壓器的*電壓壓降是電源設備負載電流的 ON 電阻造成的。如果負載較小,這種方式產(chǎn)生的壓降只有幾十毫伏。

    3.什么是ESR

    電容的等效串聯(lián)電阻,越低的話(huà)Q值越小。

    4.什么是TTL
    Transistor-Transistor Logic
    晶體管-晶體管邏輯電路 (雙極性型電路,指包含電子和空穴兩種極性的載流子)

    5.什么是MOS、NMOS、PMOS、CMOS

    MOS(Metal-OxideSemiconductor 金屬-氧化物半導體場(chǎng)效應管,單極性)有增強型和耗盡型兩種,主要是以下三類(lèi)
    P
    溝道增強型管構成的PMOS電路
    N
    溝道增強型管構成的NMOS電路
    PMOS
    NMOS構成的CMOS(互補MOS,Complementary Metal-Oxide-Semiconductor Transistor 互補型金屬氧化物半導體)電路

    6.什么是OC、OD
    集電極開(kāi)路門(mén)(集電極開(kāi)路 OC 或源極開(kāi)路 OD)

    open-drain是漏極開(kāi)路輸出的意思,相當于集電極開(kāi)路(open-collector)輸出,即ttl中的集電極開(kāi)路(oc)輸出。一般用于線(xiàn)或、線(xiàn)與,也有的用于電流驅動(dòng)。
    open-drain
    是對mos管而言,open-collector是對雙極型管而言,在用法上沒(méi)啥區別。

    開(kāi)漏形式的電路有以下幾個(gè)特點(diǎn):
    a.
    利用外部電路的驅動(dòng)能力,減少IC內部的驅動(dòng)。 或驅動(dòng)比芯片電源電壓高的負載.
    b.
    可以將多個(gè)開(kāi)漏輸出的Pin,連接到一條線(xiàn)上。通過(guò)一只上拉電阻,在不增加任何器件的情況下,形成與邏輯關(guān)系。這也是I2C,SMBus等總線(xiàn)判斷總線(xiàn)占用狀態(tài)的原理。如果作為圖騰輸出必須接上拉電阻。接容性負載時(shí),下降延是芯片內的晶體管,是有源驅動(dòng),速度較快;上升延是無(wú)源的外接電阻,速度慢。如果要求速度高電阻選擇要小,功耗會(huì )大。所以負載電阻的選擇要兼顧功耗和速度。

    c. 可以利用改變上拉電源的電壓,改變傳輸電平。例如加上上拉電阻就可以提供TTL/CMOS電平輸出等。
    d.
    開(kāi)漏Pin不連接外部的上拉電阻,則只能輸出低電平。一般來(lái)說(shuō),開(kāi)漏是用來(lái)連接不同電平的器件,匹配電平用的。

       正常的CMOS輸出級是上、下兩個(gè)管子,把上面的管子去掉就是OPEN-DRAIN了。這種輸出的主要目的有兩個(gè):電平轉換和線(xiàn)與。
    由于漏級開(kāi)路,所以后級電路必須接一上拉電阻,上拉電阻的電源電壓就可以決定輸出電平。這樣你就可以進(jìn)行任意電平的轉換了。
    線(xiàn)與功能主要用于有多個(gè)電路對同一信號進(jìn)行拉低操作的場(chǎng)合,如果本電路不想拉低,就輸出高電平,因為OPEN-DRAIN上面的管子被拿掉,高電平是靠外接的上拉電阻實(shí)現的。(而正常的CMOS輸出級,如果出現一個(gè)輸出為高另外一個(gè)為低時(shí),等于電源短路。)
    OPEN-DRAIN
    提供了靈活的輸出方式,但是也有其弱點(diǎn),就是帶來(lái)上升沿的延時(shí)。因為上升沿是通過(guò)外接上拉無(wú)源電阻對負載充電,所以當電阻選擇小時(shí)延時(shí)就小,但功耗大;反之延時(shí)大功耗小。所以如果對延時(shí)有要求,則建議用下降沿輸出。 
     

    7.什么是線(xiàn)或邏輯與線(xiàn)與邏輯?

       在一個(gè)結點(diǎn)(線(xiàn)), 連接一個(gè)上拉電阻到電源 VCC VDD n 個(gè) NPN NMOS 晶體管的集電極 C 或漏極 D, 這些晶體管的發(fā)射極 E 或源極 S 都接到地線(xiàn)上, 只要有一個(gè)晶體管飽和, 這個(gè)結點(diǎn)(線(xiàn))就被拉到地線(xiàn)電平上
       
    因為這些晶體管的基極注入電流(NPN)或柵極加上高電平(NMOS), 晶體管就會(huì )飽和, 所以這些基極或柵極對這個(gè)結點(diǎn)(線(xiàn))的關(guān)系是或非 NOR 邏輯. 如果這個(gè)結點(diǎn)后面加一個(gè)反相器, 就是或 OR 邏輯. 如果用下拉電阻和 PNP PMOS 管就可以構成與非 NAND 邏輯, 或用負邏輯關(guān)系轉換與/或邏輯.  
       
    這些晶體管常常是一些邏輯電路的集電極開(kāi)路 OC 或源極開(kāi)路 OD 輸出端. 這種邏輯通常稱(chēng)為線(xiàn)與/線(xiàn)或邏輯, 當你看到一些芯片的 OC OD 輸出端連在一起, 而有一個(gè)上拉電阻時(shí), 這就是線(xiàn)或/線(xiàn)與了, 但有時(shí)上拉電阻做在芯片的輸入端內
       
    順便提示如果不是 OC OD 芯片的輸出端是不可以連在一起的, 總線(xiàn) BUS 上的雙向輸出端連在一起是有管理的, 同時(shí)只能有一個(gè)作輸出, 而其他是高阻態(tài)只能輸入.

    8.什么是推挽結構

    一般是指兩個(gè)三極管分別受兩互補信號的控制,總是在一個(gè)三極管導通的時(shí)候另一個(gè)截止.要實(shí)現線(xiàn)與需要用OC(open collector)門(mén)電路 .如果輸出級的有兩個(gè)三極管,始終處于一個(gè)導通、一個(gè)截止的狀態(tài),也就是兩個(gè)三級管推挽相連,這樣的電路結構稱(chēng)為推拉式電路或圖騰柱(Totem-pole)輸出電路(可惜,圖無(wú)法貼上)。當輸出低電平時(shí),也就是下級負載門(mén)輸入低電平時(shí),輸出端的電流將是下級門(mén)灌入T4;當輸出高電平時(shí),也就是下級負載門(mén)輸入高電平時(shí),輸出端的電流將是下級門(mén)從本級電源經(jīng) T3、D1 拉出。這樣一來(lái),輸出高低電平時(shí),T3 一路和 T4 一路將交替工作,從而減低了功耗,提高了每個(gè)管的承受能力。又由于不論走哪一路,管子導通電阻都很小,使RC常數很小,轉變速度很快。因此,推拉式輸出級既提高電路的負載能力,又提高開(kāi)關(guān)速度。供你參考。

    是兩個(gè)參數相同的三極管或MOSFET,以推挽方式存在于電路中,各負責正負半周的波形放大任務(wù),電路工作時(shí),兩只對稱(chēng)的功率開(kāi)關(guān)管每次只有一個(gè)導通,所以導通損耗小 效率高。
    輸出既可以向負載灌電流,也可以從負載抽取電流。

    推挽電路是兩不同極性晶體管輸出電路無(wú)輸出變壓器(有OTL、OCL等)。

    是兩個(gè)參數相同的三極管或MOSFET,以退晚方式存在於電路中,各負責正負半周的波形放大任務(wù)

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